(1657)

Polaridade do transistor:
NPN

Tensão do Coletor-Emissor VCEO Max:
30 V

VCBO de Tensão Base do Coletor:
35 V

Voltagem de base do emissor VEBO:
4,5 V

Tensão de saturação coletor-emissor:
500 mV

Corrente máxima do coletor CC:
50 mA

Pd - Dissipação de Potência:
625 mW

Produto de ganho de largura de banda fT:
50MHz

Temperatura Mínima de Operação:
- 65ºC

Temperatura Máxima de Operação:
+ 150ºC

Embalagem:
Volume

Marca:
Semicondutor central
 
Corrente Contínua do Coletor:
50 mA
 
Coletor DC/Ganho Base hFE Min:
300
 
Ganho de corrente CC hFE Max:
900
 
Tipo de Produto:
BJTs - Transistores bipolares

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