Transístor AOT10N65 N-MOSFET unipolar 650V 6,2A 250W

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Tipo de transístor
N-MOSFET

Polarização
unipolar

Tensão dreno-fonte
650V

Corrente de dreno
6,2A

Potência dissipada
250W

Carcaça
TO220

Tensão porta-fonte
±30V

Resistência no estado de condução
1?

O AOT10N65 é um transistor de potência de canal N que pertence à família de dispositivos MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Ele é projetado para operar em aplicações de alta tensão e alta corrente, oferecendo excelente desempenho e eficiência.

Com uma tensão de dreno-origem (VDS) máxima de 650 volts, o AOT10N65 é capaz de lidar com tensões significativas em circuitos de potência. Além disso, apresenta uma corrente de dreno contínua (ID) de até 6 amperes, o que o torna adequado para aplicações que requerem altas correntes.

O AOT10N65 é construído com uma tecnologia avançada que combina uma camada de óxido de metal (MOS) e um canal N, permitindo um controle preciso da corrente entre o dreno e a origem do transistor. Essa estrutura MOSFET oferece baixa resistência de condução (RDS(on)), resultando em menor dissipação de energia e, consequentemente, menor aquecimento durante a operação.

Este transistor de potência também possui uma alta capacidade de comutação, o que significa que ele pode ligar e desligar rapidamente em resposta a um sinal de controle. Isso é especialmente útil em aplicações que exigem modulação de alta frequência ou operação em modo de comutação.

O AOT10N65 é encapsulado em um invólucro TO-220, que permite uma fácil montagem em placas de circuito impresso (PCBs) e oferece uma boa dissipação de calor. No entanto, é importante observar as especificações do fabricante ao usar o transistor e garantir que seja fornecida a dissipação adequada de calor para evitar o superaquecimento.

Em suma, o AOT10N65 é um transistor de potência de canal N de alta tensão e alta corrente, projetado para aplicações de potência exigentes. Com sua baixa resistência de condução, alta capacidade de comutação e capacidade de lidar com altas tensões, ele oferece um desempenho confiável e eficiente. É uma escolha ideal para projetos eletrónicos que requerem o controle de alta potência e podem ser encontrados em diversas aplicações, como fontes de alimentação, inversores, sistemas de controlo de motores, entre outros.