Transistor BS170 N-MOSFET unipolar 60V 500mA Idm: 1,2A 0,83W TO92

(2160)

Tipo de transístor
N-MOSFET

Tecnologia
DMOS
bs170 mosfet
Polarização
unipolar
bs170 transistor
Tensão dreno-fonte
60V

Corrente de dreno
500mA
bs170 mosfet datasheet
Corrente de dreno em impulso
1,2A

Potência dissipada
0,83W

Carcaça
TO92

Tensão porta-fonte
±20V

Resistência no estado de condução
5?

Montagem
THT

Espécie de embalagem
 

O BS170 é um transistor de efeito de campo de junção (JFET, do inglês Junction Field-Effect Transistor) amplamente utilizado em circuitos eletrónicos. Este transistor pertence à família de dispositivos BS, conhecida pelas suas características de baixa potência e elevada eficiência.

mosfet significado

O BS170 é do tipo canal N, o que significa que conduz corrente quando uma tensão negativa é aplicada à sua porta em relação à sua fonte. Possui três terminais principais: a fonte (S), o dreno (D) e a porta (G). A fonte está ligada à referência de tensão, o dreno está ligado à carga e a porta é usada para controlar o fluxo de corrente através do transistor.

O BS170 é conhecido pela sua baixa tensão de gate-source (VGSS) e pela sua alta resistência de gate-source (RG). Isso o torna adequado para aplicações de chaveamento e amplificação de sinal com baixa potência. É frequentemente usado em circuitos de comutação de baixa tensão, fontes de corrente constante, amplificadores de áudio de baixa potência e outros projetos eletrónicos que requerem um transistor de efeito de campo de canal N.

É importante notar que, ao utilizar o BS170 em circuitos, é necessário ter cuidado para evitar sobrecarregar o transistor, pois isso pode resultar em danos irreversíveis. Também é recomendado seguir as especificações e limites de tensão e corrente estabelecidos pelo fabricante para garantir o desempenho adequado e a longevidade do componente.

Em resumo, o BS170 é um transistor de efeito de campo de junção de canal N amplamente utilizado na eletrónica. Com sua baixa tensão de gate-source e alta resistência de gate-source, é adequado para aplicações de chaveamento e amplificação de sinal com baixa potência. Sua versatilidade o torna uma escolha popular em projetos eletrónicos diversos, onde é necessário um componente confiável e eficiente.