Transístor FQP7P06 P-MOSFET unipolar -60V -4,95A 45W

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Tipo de transístor
P-MOSFET

Tecnologia
QFET®

Polarização
unipolar

Tensão dreno-fonte
-60V

Corrente de dreno
-4,95A

Potência dissipada
45W

Carcaça
TO220AB

Tensão porta-fonte
±25V

Resistência no estado de condução
410m?

O FQP7P06 é um transistor de potência utilizado em aplicações de eletrónica de potência e controle de circuitos. Ele é parte da família de transistores de efeito de campo de potência N-Channel (canal N), que são amplamente utilizados em diversos dispositivos eletrónicos.

O FQP7P06 é caracterizado por sua capacidade de controlar correntes elevadas e altas tensões. Ele possui uma tensão máxima de dreno-fonte (VDS) de 60 volts e pode suportar uma corrente contínua de até 5 amperes. Essas características tornam o FQP7P06 adequado para aplicações em que é necessária a comutação de cargas pesadas, como fontes de alimentação, inversores, acionadores de motores, entre outros.

Este transistor é do tipo canal N, o que significa que a corrente flui do dreno (D) para a fonte (S) quando uma tensão adequada é aplicada ao gate (G). O FQP7P06 possui uma resistência extremamente baixa entre o dreno e a fonte (RDS(on)), o que resulta em uma menor perda de potência durante a operação.

Além disso, o FQP7P06 é fornecido em um invólucro TO-220, que permite a sua fácil montagem em placas de circuito impresso. É importante respeitar as especificações fornecidas pelo fabricante para garantir a dissipação adequada de calor e evitar o superaquecimento do transistor.

Em resumo, o FQP7P06 é um transistor de potência de canal N utilizado em aplicações de eletrónica de potência e controle de circuitos. Sua capacidade de controlar correntes elevadas e altas tensões o torna adequado para aplicações em que é necessário comutar cargas pesadas. O baixo valor da resistência entre dreno e fonte minimiza as perdas de potência durante a operação.