Transístor IGBT 40N60NPFD

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Transístor IGBT 40N60NPFD

40N60N

40N60

O 40N60NPFD é um transístor de potência N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), especialmente projetado para aplicações de alta tensão e alta corrente, frequentemente utilizado em circuitos de comutação de alta eficiência. Aqui está uma descrição técnica:

Características Principais
Tipo de Transístor: MOSFET de canal N.
Tensão Máxima de Dreno-Fonte (V_DS): 600 V.
Corrente de Dreno Contínua (I_D): Até 40 A.
Resistência de Estado Ligado (R_DS(on)): Baixo valor para perdas mínimas em condução.
Tecnologia: Construído com tecnologia avançada FDmesh™ da STMicroelectronics, que reduz perdas em comutação e melhora a eficiência energética.
Configuração do encapsulamento: Apresenta encapsulamento TO-247, ideal para montagem em dissipadores térmicos devido ao elevado manuseamento de potência.
Frequência de Comutação: Alta capacidade de comutação, ideal para fontes de alimentação SMPS (Switch Mode Power Supplies) e inversores.

Aplicações Comuns
Fontes de alimentação comutadas (SMPS).
Conversores DC-DC de alta eficiência.
Inversores para energias renováveis (solar, eólica).
Circuitos de acionamento para motores elétricos.
UPS (Sistemas de Alimentação Ininterrupta).
Equipamentos industriais de comutação de potência.

Benefícios
Alta eficiência energética: Devido à baixa resistência em condução e perdas reduzidas em comutação.
Desempenho térmico superior: O encapsulamento TO-247 facilita a dissipação térmica.
Operação confiável em alta tensão: Ideal para ambientes industriais exigentes.

Este componente é frequentemente escolhido devido à combinação de alta capacidade de corrente, elevada tensão suportada e eficiência em aplicações críticas de potência.