Transístor IRFP150NPBF N-MOSFET unipolar 100V 30A 160W

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Tipo de transístor
N-MOSFET

Tecnologia
HEXFET®

Polarização
unipolar

Tensão dreno-fonte
100V
mosfet irf
Corrente de dreno
30A

Potência dissipada
160W

Carcaça
TO247AC

Tensão porta-fonte
±20V

Resistência no estado de condução
36m?

O IRFP150NPBF é um transistor de potência do tipo MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) amplamente utilizado em aplicações de eletrónica de potência. Ele é projetado para lidar com altas correntes e tensões, tornando-o adequado para amplificadores de áudio, fontes de alimentação, conversores de energia e outras aplicações que exigem alta potência.

O IRFP150NPBF possui uma estrutura de canal N, o que significa que é um transistor de potência de canal N. Isso implica que a corrente flui do dreno para a fonte quando uma tensão adequada é aplicada ao terminal de gate (porta). O transistor possui uma capacidade de tensão de dreno-fonte (VDS) de até 100V e uma corrente de dreno contínua (ID) de 30A, o que o torna capaz de lidar com altas cargas elétricas.

Uma das características notáveis do IRFP150NPBF é sua baixa resistência de condução (RDS(on)). Isso significa que, quando o transistor está completamente ligado (saturado), há pouca resistência entre o dreno e a fonte, resultando em uma perda mínima de potência. Essa baixa resistência também contribui para uma eficiência energética geralmente alta e um melhor desempenho em aplicações de alta potência.

O IRFP150NPBF é embalado em um invólucro TO-247, que facilita a dissipação de calor. Isso é importante porque, em aplicações de alta potência, o transistor pode gerar calor significativo. Uma dissipação eficiente de calor ajuda a manter a temperatura do dispositivo dentro dos limites aceitáveis e a garantir sua operação confiável.

Ao utilizar o IRFP150NPBF, é essencial observar as especificações fornecidas pelo fabricante, especialmente em relação à tensão, corrente e dissipação de calor. Também é recomendado usar técnicas adequadas de isolamento e proteção, como dissipadores de calor, para evitar danos causados pelo superaquecimento.

Em resumo, o IRFP150NPBF é um transistor de potência MOSFET de canal N com capacidade de lidar com altas correntes e tensões. Sua baixa resistência de condução contribui para uma eficiência energética e desempenho aprimorados. Com sua embalagem TO-247, o transistor facilita a dissipação eficiente de calor. É uma escolha comum em aplicações de eletrónica de potência que requerem alta potência e desempenho confiável.