Transistor MOSFET IRF3205 ------------ 110A / 55 V
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Transistor MOSFET IRF3205 ------------ 110A / 55 V
O IRF3205 é um transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFET) de potência N-Channel. Fabricado com tecnologia avançada de planar stripe DMOS, esse transistor é conhecido por sua alta eficiência, rapidez na comutação e robustez em aplicações de alta tensão e alta corrente.
A embalagem do IRF3205 é a popular TO-220AB, que é adequada para transistores de potência e permite uma eficiente dissipação de calor. Possui três terminais: Gate (G), Drain (D) e Source (S). Em um MOSFET do tipo N, a corrente flui do Drain para o Source.
Os principais parâmetros do IRF3205 são:
1. Tensão Drain-Source (VDS): O IRF3205 tem uma tensão de ruptura de 55V entre o Drain e o Source. Isso significa que ele pode suportar uma tensão de até 55V entre esses dois terminais.
2. Corrente de Dreno Contínua (ID): O IRF3205 pode lidar com uma corrente de até 110A, tornando-o uma escolha adequada para aplicações que requerem uma corrente alta.
3. Resistência Drain-Source On-State (RDS(ON)): Este é um indicativo da eficiência do transistor. Para o IRF3205, essa resistência é muito baixa, cerca de 8mΩ, o que significa que muito pouca energia será perdida quando a corrente fluir através do transistor.
4. Dissipação de Potência (PD): O IRF3205 tem uma classificação de dissipação de potência de 200W, o que indica a quantidade de calor que ele pode dissipar sem sofrer danos.
O IRF3205 é adequado para várias aplicações, como:
- Fontes de Alimentação Comutadas: Devido à sua alta velocidade de comutação, o IRF3205 é frequentemente encontrado em fontes de alimentação comutadas, onde a eficiência é essencial.
- Inversores e Conversores: O IRF3205 é adequado para ser usado em inversores e conversores DC para AC ou DC para DC devido à sua alta eficiência e velocidade de comutação.
- Reguladores de Tensão: Em reguladores de tensão, a eficiência é fundamental. A baixa resistência do IRF3205 o torna uma escolha popular.
Em resumo, o IRF3205 é um MOSFET de potência N-Channel extremamente robusto e eficiente que é amplamente utilizado em aplicações de alta corrente e alta tensão, devido à sua alta eficiência, robustez e rápida velocidade de comutação.
