Transistor MOSFET IRF640N ----------- 18A / 200 V
25 unidades em stock | SKU: LPM000074
(1077)
Transistor MOSFET IRF640N ----------- 18A / 200 V
O IRF640N é um transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFET) de canal N, conhecido pela sua alta velocidade de comutação e robustez. É fabricado usando uma tecnologia avançada de processo de planar stripe DMOS, resultando em alto desempenho e confiabilidade.
O transistor IRF640N é encapsulado em uma embalagem TO-220, comum para transistores de potência, permitindo uma boa dissipação de calor. Ele tem três terminais: Gate (G), Drain (D) e Source (S). Em um MOSFET de canal N, a corrente flui do Drain para o Source quando uma tensão suficiente é aplicada ao terminal Gate.
Os principais parâmetros do IRF640N são:
1. Tensão Drain-Source (VDS): O IRF640N pode suportar uma tensão de até 200V entre o Drain e o Source, tornando-o adequado para aplicações de alta tensão.
2. Corrente de Dreno Contínua (ID): A corrente máxima que o IRF640N pode conduzir continuamente através do terminal de Dreno é de 18A, permitindo que ele seja usado em aplicações que requerem alta corrente.
3. Resistência Drain-Source (RDS(on)): Esta é a resistência interna do transistor entre o Drain e o Source quando o transistor está totalmente ligado (saturado). Para o IRF640N, esta resistência é de cerca de 0,18 ohms.
4. Dissipação de Potência (PD): A dissipação de potência máxima que o IRF640N pode suportar sem danificar o dispositivo é de 150W.
As aplicações típicas do transistor IRF640N incluem:
- Fontes de Alimentação com Chaveamento: O IRF640N é frequentemente usado em fontes de alimentação com chaveamento devido à sua alta velocidade de comutação e capacidade de lidar com altas tensões e correntes.
- Inversores e Conversores: O transistor é comumente usado em inversores e conversores DC-DC e DC-AC devido à sua alta eficiência e velocidade de comutação.
- Aplicações de Áudio: O IRF640N pode ser usado para controle de volume e outras aplicações de áudio devido à sua rápida velocidade de comutação.
Em resumo, o IRF640N é um transistor MOSFET de canal N altamente robusto e eficiente, amplamente usado em várias aplicações de alta tensão e alta corrente. A sua alta velocidade de comutação e robustez tornam-no uma escolha fiável para muitas aplicações de potência.
