Transistor MOSFET IRF840 ------------- 8A / 500 V
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Transistor MOSFET IRF840 ------------- 8A / 500 V
O IRF840 é um transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFET) de canal N, projetado para aplicações de alta tensão e corrente moderada. Ele é fabricado com uma tecnologia avançada de processo de planar stripe DMOS, que oferece alto desempenho e confiabilidade.
O transistor IRF840 é encapsulado em uma embalagem padrão TO-220AB, que é comum para transistores de potência e proporciona uma boa dissipação de calor. Ele tem três terminais: Gate (G), Drain (D) e Source (S). Em um MOSFET de canal N, a corrente flui do Drain para o Source quando uma tensão suficiente é aplicada ao terminal Gate.
Os principais parâmetros do IRF840 são:
1. Tensão Drain-Source (VDS): A tensão máxima que o IRF840 pode suportar entre o Drain e o Source sem falhar é de 500V. Isso o torna adequado para aplicações de alta tensão.
2. Corrente de Dreno Contínua (ID): A corrente máxima que o IRF840 pode conduzir continuamente através do terminal de Dreno é de 8A.
3. Resistência Drain-Source (RDS(on)): Esta é a resistência interna do transistor entre o Drain e o Source quando o transistor está totalmente ligado (saturado). Para o IRF840, é de aproximadamente 0,85 ohms.
4. Dissipação de Potência (PD): A dissipação de potência máxima que o IRF840 pode suportar sem danificar o dispositivo é de 125W.
As aplicações típicas do transistor IRF840 incluem:
- Fontes de Alimentação de Alta Tensão: Devido à sua alta tensão VDS, o IRF840 é frequentemente usado em fontes de alimentação de alta tensão e reguladores de tensão.
- Inversores e Conversores: O IRF840 é comumente usado em inversores e conversores DC-DC e DC-AC devido à sua alta velocidade de comutação e eficiência.
- Aplicações de Comutação de Potência: O IRF840 pode ser usado para controlar dispositivos de alta potência e alta tensão, como relés e solenoides.
Em resumo, o IRF840 é um transistor MOSFET de canal N altamente capaz, amplamente usado em várias aplicações de alta tensão e comutação de potência devido à sua alta tensão de ruptura e boa eficiência.
