Transistor QSL12TR NPN

Categoria de produto:
Transistores bipolares de junção - BJT
 
RoHS:
 Detalhes
 
Tecnologia:
Si

Estilo de montagem:
SMD/SMT

Polaridade do transistor:
NPN

Configuração:
Single

Corrente do coletor DC máxima:
1 A

Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor:
30 V

Coletor VCBO de voltagem básica:
30 V

Emissor - VEBO de tensão de base:
6 V

Tensão de saturação do coletor - emissor:
120 mV

Pd - Dissipação de potência:
900 mW

Produto fT da largura de banda de ganho:
320 MHz

Temperatura operacional mínima:
-

Temperatura operacional máxima:
+ 150 C

Série:
QSL12

Embalagem:
Reel

Embalagem:
Cut Tape

Embalagem:
MouseReel

Marca:
ROHM Semiconductor
 
Tensão do coletor contínua:
1 A
 
Coletor DC/Ganho base hfe Min:
270
 
hFE máx. de ganho de corrente DC:
680
 
Altura:
0.85 mm
 
Comprimento:
2.9 mm
 
Tipo de Produto:
BJTs - Bipolar Transistors
 
Quantidade do pacote de fábrica:
3000
 
Subcategoria:
Transistors
 
Largura:
1.6 mm
 
Aliases de núm de peça:
QSL12