Transístor SSM6N7002KFU N-MOSFET x2 unipolar 60V 0,3A 285mW SC88
240 unidades em stock | SKU: LPM005106
(2006)
SSM6N7002
Tipo de transístor
N-MOSFET x2
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
60V
Corrente de dreno
0,3A
Potência dissipada
285mW
Carcaça
SC88
Tensão porta-fonte
±20V
Resistência no estado de condução
1,75?
Montagem
SMD
O SSM6N7002KFU é um transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) utilizado em aplicações eletrónicas para amplificação e comutação de sinais. Este transistor pertence à família de dispositivos SSM6N7002KFU e é amplamente utilizado na indústria eletrónica.
O SSM6N7002KFU é um transistor de canal N, o que significa que é usado para controlar correntes negativas. Ele possui três terminais principais: o terminal de dreno (D), o terminal de fonte (S) e o terminal de gate (G). A corrente flui do terminal de dreno para o terminal de fonte quando uma tensão adequada é aplicada ao terminal de gate. O SSM6N7002KFU é caracterizado por uma baixa resistência de condução (RDS(on)), o que resulta em menor dissipação de potência e maior eficiência.
Este transistor é fabricado com tecnologia MOSFET de canal N, que utiliza uma camada de óxido de metal para isolar o gate do canal condutor. Isso permite um controle mais preciso da corrente e uma melhor eficiência energética em comparação com outros tipos de transistores.
O SSM6N7002KFU é fornecido em um invólucro SOT-23, que é compacto e adequado para aplicações com espaço limitado. Ele também possui uma alta tensão de dreno (VDSS) e uma corrente de dreno (ID) nominal, o que o torna adequado para uma variedade de aplicações de baixa potência.
Em resumo, o SSM6N7002KFU é um transistor MOSFET de canal N usado para amplificação e comutação de sinais em aplicações eletrónicas. Sua baixa resistência de condução, eficiência energética e tamanho compacto o tornam uma escolha popular em projetos que exigem controle preciso de corrente.