Transístor STP11NM80 N-MOSFET unipolar 800V 11A 150W TO220-3
3 unidades em stock | SKU: LPM005109
(1027)
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
MDmesh?
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
800V
Corrente de dreno
11A
Potência dissipada
150W
Carcaça
TO220-3
Tensão porta-fonte
±30V
Resistência no estado de condução
400m?
O STP11NM80 é um transistor de potência MOSFET de canal N fabricado pela STMicroelectronics. É projetado para suportar altas tensões e correntes, tornando-o adequado para aplicações que exigem alta potência.
O STP11NM80 pertence à família de dispositivos MOSFET da série STripFET?, conhecida por sua eficiência e desempenho em comutação de alta potência. Ele possui uma tensão de dreno-fonte nominal de 800 volts e uma corrente contínua de dreno de 11 amperes.
Uma das principais características do STP11NM80 é sua baixa resistência de condução, o que resulta em uma menor dissipação de energia e menor aquecimento durante a operação. Isso contribui para uma maior eficiência energética e confiabilidade do dispositivo.
O STP11NM80 é encapsulado em um invólucro TO-220, que fornece uma boa dissipação térmica e facilita a sua montagem em circuitos eletrónicos. Ele possui três terminais: dreno (D), fonte (S) e gate (G), que controla o estado de condução do transistor.
Devido às suas características de alta potência e baixa resistência, o STP11NM80 é amplamente utilizado em diversos campos, como fontes de alimentação, conversores de energia, motores elétricos, sistemas de iluminação e outras aplicações que exigem comutação de alta potência.
Ao utilizar o STP11NM80 em um projeto, é importante seguir as especificações do fabricante em relação a tensões, correntes e dissipação de calor. Além disso, é necessário tomar as devidas precauções de segurança ao manusear componentes eletrónicos, como utilizar dispositivos de proteção adequados e seguir as práticas recomendadas.
Em resumo, o STP11NM80 é um transistor de potência MOSFET de canal N projetado para suportar altas tensões e correntes. Com sua baixa resistência e alta eficiência, é uma escolha comum em aplicações que exigem comutação de alta potência. Sua versatilidade e confiabilidade fazem dele uma opção popular em diversos projetos eletrónicos.