(132)

Transístor TK10A60W N-MOSFET; unipolar; 600V; 9,7A; 30W; SC67

10A60

Fabricante
TOSHIBA

Tipo de transístor
N-MOSFET

Polarização
unipolar

Tensão dreno-fonte
600V

Corrente de dreno
9.7A

Potência dissipada
30W

Carcaça
SC67

Tensão porta-fonte
±30V

Resistência no estado de condução
327mΩ

Montagem
THT

Carga da porta
20nC

Introdução ao Componente Eletrónico TK10A60W

O TK10A60W é um MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de potência, especificamente do tipo N-channel, fabricado pela reputada empresa Toshiba Semiconductor & Storage. Este componente eletrónico é amplamente reconhecido e utilizado em diversas aplicações de eletrónica de potência, particularmente onde é necessário comutar cargas de forma eficiente sob tensões relativamente elevadas.

Para engenheiros, técnicos, estudantes e entusiastas da eletrónica em Portugal que procuram informações detalhadas, especificações ou potenciais fornecedores para o TK10A60W, este artigo compila os dados essenciais e as suas aplicações mais comuns.

Principais Especificações Técnicas do TK10A60W

Compreender as especificações técnicas é crucial ao selecionar ou substituir um MOSFET. O TK10A60W apresenta características robustas para a sua classe:

Fabricante: Toshiba
Tipo: MOSFET de Potência N-Channel
Tensão Máxima Drain-Source (V_DSS): Tipicamente 600V. Este é um parâmetro crítico que define a tensão máxima que o componente pode bloquear entre o dreno (drain) e a fonte (source) quando está desligado.
Corrente de Drain Contínua Máxima (I_D): Cerca de 10A (a uma temperatura de case de 25°C). Indica a corrente máxima que pode fluir continuamente através do dispositivo. É fundamental verificar o datasheet para condições específicas de operação e derating térmico.
Resistência Drain-Source em Condução (R_DS(on)): Apresenta um valor baixo de R_DS(on), tipicamente na ordem de 0.65 Ω (máx) a V_GS = 10V. Uma baixa resistência R_DS(on) é desejável, pois minimiza as perdas de condução (calor gerado) quando o MOSFET está totalmente ligado, contribuindo para uma maior eficiência energética.
Encapsulamento (Package): Comummente fornecido no encapsulamento TO-220SIS (também conhecido como TO-220 Full Pack). Este tipo de encapsulamento isolado facilita a montagem em dissipadores de calor sem a necessidade de isoladores adicionais de mica ou silicone, simplificando o design térmico.
Tensão Gate-Source Threshold (V_GS(th)): Define a tensão mínima na gate necessária para começar a ligar o MOSFET.
Carga Total de Gate (Q_g): Um parâmetro importante para calcular as perdas de comutação e dimensionar o circuito de driver da gate.
Nota Importante: As especificações exatas podem variar ligeiramente dependendo da revisão do componente. É altamente recomendável consultar sempre o datasheet oficial do TK10A60W fornecido pela Toshiba para obter informações completas, curvas características, limites de operação segura (SOA) e outras notas de aplicação.

Aplicações Comuns do MOSFET TK10A60W

Dadas as suas características de tensão (600V) e corrente (10A), o MOSFET TK10A60W é frequentemente encontrado em:

Fontes de Alimentação Comutadas (SMPS - Switch-Mode Power Supplies): Utilizado como interruptor principal em topologias flyback, forward, ou em circuitos de correção do fator de potência (PFC).
Controlo de Motores: Acionamento de motores DC ou como parte de inversores para motores brushless (BLDC).
Inversores: Em aplicações de conversão DC-AC, como pequenos inversores solares ou fontes de alimentação ininterrupta (UPS).
Sistemas de Iluminação: Em ballasts eletrónicos para lâmpadas fluorescentes ou em drivers de potência para iluminação LED.
Circuitos de Comutação de Potência Diversos: Qualquer aplicação que necessite de um interruptor eficiente para tensões até 600V e correntes na ordem dos 10A.

Conclusão

O Toshiba TK10A60W estabelece-se como um MOSFET de potência N-channel fiável e versátil, adequado para uma vasta gama de aplicações em eletrónica de potência que operam até 600V e 10A. As suas características, como a baixa R_DS(on) e o encapsulamento isolado TO-220SIS, tornam-no uma escolha popular para designs focados em eficiência e facilidade de montagem. Lembre-se sempre de basear o seu design ou substituição nas informações precisas do datasheet oficial para garantir o desempenho e a segurança do seu circuito.